Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу:Стр 1 из 3Следующая ⇒
В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу: A) Опорного диода E) Лавинного диода Варианты изменения коэффициента усиления усилителя, если закоротить резистор R,: коэффициент усиления станет равным нулю Кр=0 Ки=0 Величина входного сопротивления полевого транзистора равна: С) несколько МОм D)высокое, намного больше входного сопротивления биполярного транзистора F) большое, так как в структуре имеется слой диэлектрика Включение тиристора произойдет: B)если увеличить ЭДС источника питания до значения, большего Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода : В) с увеличением температуры обратный ток растет, а прямой уменьшается С) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях Возможные виды направленного движения носителей заряда в полупроводниках: Движение носителей заряда за счет разности концентрации Движение носителей заряда за счет напряженности электрического поля Диффузионное и дрейфовое Волоконный световод-это: С) стеклянная нить малого диаметраD) тонкая нить из оптически прозрачного стеклаЕ) стекловолокно-толщиной несколько микрон Вольт-амперная характеристика тиристора и симистора выглядит следующим образом: правильный ответ!!! правильный ответ!!! Встречно-параллельные диоды VD1 и VD2 включены для стабилизация амплитуды выходного сигналаЕ) увеличения амплитуды сигнала отрицательной обратной связиF) уменьшения коэффициента усиления сигнала Входной измерительной сигнал характеризуется параметрами, которые можно подразделить:А) на не информативные Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя: С) Е) F) Схема, изображенная на рисунке: Д) трехэлектродный полупроводниковый приборF) транзисторное устройство Д)активныйрежекторный фильтр Е)не полосовой фильтрF) фильтр пробка Главное отличие коллектора от эмиттера: на нем рассеивается самая большая мощность в области коллектора происходит экстракция носителей из базы большая площадь р — п-перехода Двоичная цифра – это: А)двоичное число Действие излучающего диода основано: В) на прицеле – лазера и усилия светаD) на явлении инжекционной электролюминисенции Диод, используемый в качестве емкости: В) вариконд С) варикап Диод, используемый в качестве емкости: имеет малые потери в рабочем диапазоне частот и используется в качестве нелинейно управляемого диода Диод, используемый для выпрямления переменного тока: преобразователь выпрямительный устройство с односторонней проводимостью Диффузионная длина электронов в p-области диода связана со временем жизни носителей соотношением: G)от связи двух параметров: коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока напряжение, при котором концентрация электронов около поверхности Si-Si02 будет в 2 раза больше концентрации дырок в подложке Диффузионной длиной называется: Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении, убывает в е раз L = D.t Диффузионный ток в полупроводнике-это: E) движение носителей заряда из-за разности концентртаций в примесном полупроводникеF) движение носителей заряда за счет разности концентраций Длинной канала называют: B)расстояние включающее длину истоковой и стоковой области и промежуточное расстояние между ними C)расстояние между истоковой и стоковой областями n-типа или р-типа E)расстояние канала в подложечной части управляемой затвором Название коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент: B) «m» по входу E) коэффициент объединения Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операций и операций управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии: A) микропроцессорное устройство Процесс, когда напряжение на затворе становится положительным: электроны начинают отталкиваться от поверхности раздела Si-Si02 затвор управляется положительным напряжением п-канального транзистора Резкое изменение режима работы диода: туннельным пробоем Свет распространяется по сетоводу: Е) используя излучательную рекомбинацию в p-n переходеF) по вращательной траектории вдоль волокнаG) по зигзагообразной траектории Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующим образом: A) усиления сигнала на входе нет D) не усиливается E) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливается Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: D) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является: Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ А)стабилизации амплитуды выходного сигналаЕ) уменьшения коэффициента усиления сигнала Синфазным напряжением на входах операционного усилителя оУ является: А) напряжение, присутсвующиходновременнона обоих входах Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это : А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ А) за счет внутреннего электрического поляС) наличием двойного электрического слоя по обе стороны p-n перехода Спад амплитудно-частотной харктеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется: В) наличием элемента для барьерного заряда и разрядаЕ) наличием коллекторной нагрузки Существенные отличия тиристоров от транзисторов и в электрических устройствах: открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление: D) схема эмиттерногповторителяЕ) схема с минимальным выходным сопротивлением Эмиттер-это? F) Область транзисторов, назначением которой является инжекция в базу основных носителей
В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу: A) Опорного диода E) Лавинного диода Варианты изменения коэффициента усиления усилителя, если закоротить резистор R,: коэффициент усиления станет равным нулю Кр=0 Ки=0 Величина входного сопротивления полевого транзистора равна: С) несколько МОм D)высокое, намного больше входного сопротивления биполярного транзистора F) большое, так как в структуре имеется слой диэлектрика Включение тиристора произойдет: B)если увеличить ЭДС источника питания до значения, большего Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода : В) с увеличением температуры обратный ток растет, а прямой уменьшается С) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях Возможные виды направленного движения носителей заряда в полупроводниках: Движение носителей заряда за счет разности концентрации Движение носителей заряда за счет напряженности электрического поля Диффузионное и дрейфовое Волоконный световод-это: С) стеклянная нить малого диаметраD) тонкая нить из оптически прозрачного стеклаЕ) стекловолокно-толщиной несколько микрон Вольт-амперная характеристика тиристора и симистора выглядит следующим образом: правильный ответ!!! правильный ответ!!! |
Последнее изменение этой страницы: 2019-03-30; Просмотров: 819; Нарушение авторского права страницы