Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Построение статических характеристик транзистора ⇐ ПредыдущаяСтр 5 из 5
1) cмоделировать схему, представленную рис. 2.1 (тип биполярного транзистора задается в соответствии с номером варианта (таблица 2.1));
Рис. 2.1 Таблица 2.1
2) снять показания измерительных приборов для построения семейства входных ВАХ исследуемого транзистора. Результаты измерений записать в табл. 2.2;
3) по полученным данным на миллиметровой бумаге построить семейство входных ВАХ транзистора . 4) снять показания измерительных приборов для построения семейства выходных ВАХ исследуемого транзистора. Результаты измерений записать в табл. 2.3;
Семейство входных ВАХ транзистора
Семейство выходных ВАХ транзистора
Таблица 2.2
Таблица 2.3
5) по полученным данным на миллиметровой бумаге построить семейство выходных ВАХ транзистора ; 6) на семействе выходных ВАХ транзистора построить линию нагрузки по постоянному току, использую данные табл. 2.1 (ЕК и RK); 7) задать начальное положение рабочей точки O (что соответствует примерно середине усилительного участка нагрузочной прямой); 8) рассчитать h - параметры транзистора относительно установленной рабочей точки; 9) используя формулы, представленные в таблице 1.1, рассчитать h-параметры для того же транзистора, включенного по схеме с общей базой.
2.2. Измерение коэффициента усиления по току в статическом режиме
1) смоделировать схему, представленную на рис. 2.2;
Рис.2.2 В цепь эмиттера включен источник тока, задающий ток в статическом режиме. Амперметрами измеряются постоянные токи в цепях базы и коллектора Iб и Iк . Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером в статическом режиме (интегральная характеристика) рассчитывается по формуле: h21Э= Iк /Iб. 2) снять показания измерительных приборов и результаты измерений записать в табл. 2.4;
Таблица 2.4
3) по полученным значениям построить зависимость В=f(Iк), из которой определить максимальное значение h21Э для статического режима работы транзистора.
2.3 . Измерение емкости коллекторно-базового перехода Ск
1) смоделировать схему, представленную на рис.2.3;
Рис. 2.3
Емкость обратносмещенного коллекторно-базового перехода Ск образует с сопротивлением резистора Rк делитель напряжения. 3) измерить значения постоянного U1 и переменного U2 напряжений; 4) рассчитать емкость Ск по формуле: , где F – частота источника синусоидального напряжения. Измерения производятся при различных значениях постоянного напряжения коллектор-база путем изменения напряжения питания от 0, 1 до 10 В. 5) результаты измерений и расчетов занести в табл. 2.5. 6) построить зависимость Ск=f(Uкб).
Таблица 2.5
Расчет и моделирование параметров усилителя на постоянном токе Для моделирования усилительного каскада, представленного на рис. 1.13, выполнить в предложенной ниже последовательности расчет его параметров. 1) рассчитать предварительное значение тока базы покоя I0Б (см. ф. 1.9); 2) используя соотношение 1.11, задаться значением тока делителя IД; 3) найти значение резистора R2; 4) определить значение резистора R1; 5) рассчитать коэффициент нестабильности коллекторного тока S (см. ф. 1.12). 6) смоделировать схему усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ с эмиттерной термостабилизацией (см. рис. 1.13), установив полученные значения сопротивлений резисторов в цепях базового делителя напряжения. Измерить все постоянные токи, протекающие в цепях транзистора и падения напряжений на всех участках цепи. Сравнить полученные значения с расчетными. По окончании выполнения работы и оформления отчета каждый студент должен ответить письменно на два контрольных вопроса. Номера вопросов для каждого варианта представлены в таблице 2.6. Таблица 2.6
Контрольные вопросы 1. Пояснить, какие физические процессы происходят в структуре плоскостного биполярного транзистора. 2. Какие существуют режимы работы биполярного транзистора. Какие напряжения подаются на его р-n-переходы в разных режимах работы? Параметры каждого из режимов и их практическое использование. 3. Усилительный режим работы биполярного транзистора. Характеристики усилительных свойств. 4. Динамический режим работы биполярного транзистора. Построение динамической характеристики. 5. Статический режим работы биполярного транзистора. Характеристики и параметры статического режима работы. 6. Сравнительный анализ возможных схем включения биполярного транзистора (ОЭ, ОБ, ОК). Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для разных схем его включения. 7. Напишите выражения, с помощью которых вводятся h-параметры биполярного транзистора, и объясните физический смысл каждого из этих параметров. Изобразите эквивалентную схему биполярного транзистора в системе h-параметров. Каковы условия измерения h-параметров? 8. Как зависят характеристики и параметры биполярного и полевого транзисторов от температуры, частоты и других условий работы? 9. На семействах входных и выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, отметьте области, соответствующие режимам отсечки, усиления и насыщения. Какие напряжения подаются на р-n-переходы транзистора в перечисленных режимах работы? 10. Что такое коэффициент насыщения Sнас транзистора? Какие значения этого коэффициента используют на практике? 11. Каков характер и величина изменения входного и выходного сопротивлений (Rвх Rвых) в зависимости от схемы включения биполярного транзистора? Какизменяется коэффициент усиления по мощности в зависимости от схемы включения биполярного транзистора? 12. В чем заключается принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом? Что собой представляет размерность крутизны S полевого транзистора? Является ли значение крутизны S постоянным для конкретного полевого транзистора? 13. Основные параметры и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. 14. Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными? 15. В чем отличие принципа действия и основных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом и МДП транзистора. 16. Схемы включения полевых транзисторов, их основные характеристики (ОС, ОИ, ОЗ). Сравнительный анализ схем включения. 17. Классификация транзисторов. Принципы маркировки и условные графические обозначения биполярных и полевых транзисторов. 18. Изобразить: - принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером; - статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения. Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим эмиттером, ее практическое применение. 19. Изобразить: - принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой; - статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения. Особенности, преимущества и недостатки схемы с общей базой, ее практическое применение. 20. Изобразить: - принципиальную и эквивалентную схемы биполярного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором; - статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора для этой схемы включения. Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим коллектором, ее практическое применение. 21. Изобразить: - принципиальную и эквивалентную схемы полевого транзистора, включенного по схеме с общим стоком; - статические вольтамперные характеристики полевого транзистора для этой схемы включения. Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим стоком, ее практическое применение. 22. Изобразить: - принципиальную и эквивалентную схемы полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком; - статические вольтамперные характеристики полевого транзистора для этой схемы включения. Особенности, преимущества и недостатки схемы с общим истоком, ее практическое применение.
Список рекомендуемой литературы
1. Б.И.Горошков, А.Б.Горошков. Электронная техника: учеб. Пособие для студ. сред. проф. образования. 3-е издание. - М.: Издательский центр «Академия», 2010.
2. М.В.Гальперин. Электронная техника. Учебник. – М.: ФОРУМ-ИНФРА-М, 2003.
3. Электротехника и электроника. Учебник для сред. проф. Образования / Б.И.Петленко, Ю.М.Инькова и др; Под ред. Б.И.Петленко. - М.: Издательский центр «Академия», 2003.
4. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Ю.В. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; Под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая Линия - Телеком, 2002.
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-05-11; Просмотров: 928; Нарушение авторского права страницы